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PRODUCTS CENTER當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心MDP單晶和多晶硅片壽命測量儀(MDPmap)MDPmap-1MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀
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PRODUCT CLASSIFICATION相關(guān)文章
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單晶和多晶硅片壽命測量設(shè)備用于復(fù)雜的材料研究和開發(fā)。
特點(diǎn):
◇ 靈敏度:高的靈敏度,用于可視化迄今為止不可見的缺陷和調(diào)查外延層的情況
◇ 測量速度:6英寸硅片<5min,分辨率為1mm
◇ 壽命范圍:20ns到幾十ms
◇ 污染測定:源于坩堝和設(shè)備的金屬(鐵)污染
◇ 測量能力:從切割好的硅片到加工的樣品
◇ 靈活性:固定的測量頭可以與外部激光器連接并觸發(fā)
◇ 可靠性:模塊化和緊湊型臺式儀器,可靠性更高,正常運(yùn)行時間>99%
◇ 重復(fù)性:> 99%
◇ 電阻率:電阻率測繪,無需頻繁校準(zhǔn)
技術(shù)規(guī)格:
樣品尺寸 | 直徑達(dá)300mm(標(biāo)準(zhǔn)臺),直徑達(dá)450mm(定制),*小為5 x 5mm |
壽命測量范圍 | 20ns至幾十ms以上 |
電阻率 | 0.2 - >103Ω·cm,p-型/n-型 |
樣品材料 | 硅片、外延層、部分或加工的硅片、化合物半導(dǎo)體及更多材料 |
可測量的特性 | 壽命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光導(dǎo)率 |
激發(fā)波長 | 選擇從355nm到1480nm的*多四個不同波長。980nm(默認(rèn)) |
尺寸規(guī)格 | 體積:680 x 380 x 450毫米;重量:約65公斤 |
電源 | 100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A |
MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀 - 細(xì)節(jié):
◇ 用于研發(fā)或生產(chǎn)監(jiān)控的靈活測繪工具◇ MDPmap被設(shè)計(jì)成一個緊湊的臺式非接觸電學(xué)表征工具,用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā),在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(μ-PCD)下,在一個寬的注入范圍內(nèi)測量參數(shù),如載流子壽命、光導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息。自動化的樣品識別和參數(shù)設(shè)置允許輕松適應(yīng)各種不同的樣品,包括外延層和經(jīng)過不同制備階段的晶圓,從原生晶圓到高達(dá)95%的金屬化晶圓。
◇ MDPmap的主要優(yōu)點(diǎn)是它的高度靈活性,例如,它允許集成多達(dá)四個激光器,用于測量從較低到高的注入水平的壽命,或通過使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏置光設(shè)施,以及μ-PCD或穩(wěn)態(tài)注入條件的選項(xiàng)??梢杂貌煌牡貓D進(jìn)行客戶定義的計(jì)算,也可以輸出主要數(shù)據(jù)進(jìn)行進(jìn)一步評估。對于標(biāo)準(zhǔn)的計(jì)量任務(wù),預(yù)定義的標(biāo)準(zhǔn)只需按下一個按鈕就能進(jìn)行常規(guī)測量。
附加選項(xiàng):
◇ 光斑大小的變化
◇ 電阻率測量(晶圓)
◇ 方塊電阻
◇ 背景/偏光
◇ 反射測量(MDP)
◇ 太陽能電池的LBIC(擴(kuò)散長度測量)
◇ 偏壓MDP
◇ 參考晶圓
◇ 硅的內(nèi)部/外部鐵制圖
◇ 集成加熱臺
◇ 靈活的激光器配置
MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀 - 測量案例:
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鈍化多晶硅的壽命圖 | 多晶硅的鐵污染圖 |
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單晶硅的硼氧圖 | 單晶硅的缺陷密度圖 |
碳化硅外延片(>10μm)-少數(shù)載流子壽命mapping圖(平均壽命τ=0.36μs) | |
高阻硅片(>10000Ω·cm)-少數(shù)載流子壽命mapping圖 | |
非鈍化硅外延片(20μm)-少數(shù)載流子壽命mapping圖 |
MDPmap 應(yīng)用:
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