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產(chǎn)品分類
PRODUCT CLASSIFICATION相關(guān)文章
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用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽(yáng)能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。
特點(diǎn) :
◇ 壽命范圍:20 ns至100 ms(樣品電阻率 > 0.3 Ohm cm)
◇ SEMI標(biāo)準(zhǔn):PV9-1110
◇ 測(cè)試速度:線掃描 < 30 s;完整的面掃秒 < 5 min
◇ 同時(shí)測(cè)量:壽命μPCD/MDP(QSS)和電阻率
◇ 自動(dòng)幾何形狀識(shí)別: G12、M10晶磚和晶圓片
應(yīng)用 :
◇ 壽命 & 電阻率面掃描
◇ 晶體生長(zhǎng)監(jiān)控(即滑移線)
◇ 污染監(jiān)測(cè)
◇ 氧條紋/OSF環(huán)
◇ P 型摻雜硅的鐵面掃描圖
◇ 發(fā)射極層的方阻
◇ 更多…
技術(shù)規(guī)格 :
材料 | 單晶硅 |
晶錠尺寸 | 125 x 125至210 x 210 mm2,晶磚長(zhǎng)850 mm或更長(zhǎng) |
晶圓尺寸 | 直徑可達(dá)300 mm |
電阻率范圍 | 0.5 – 5 ohm cm。根據(jù)要求提供其他范圍 |
導(dǎo)電類別 | p/n |
可測(cè)量的參數(shù) | 壽命-μPCD/MDP(QSS)、光電導(dǎo)率、電阻率等 |
默認(rèn)激光器 | IR激光二極管(980 nm,不超過(guò)500 mW)和IR激光二極管(905 nm,不超過(guò)9000 mW)??筛鶕?jù)要求提供其他波長(zhǎng) |
電腦 | Windows 11或新版本、.NET Framework更新、2個(gè)以太網(wǎng)端口 |
電力要求 | 100 – 250 V AC, 6 A |
尺寸(寬*高*長(zhǎng)) | 2560 × 1910 × 1440 mm |
重量 | 約200 kg |
認(rèn)證 | 根據(jù)ISO 9001準(zhǔn)則制造,符合CE要求 |
直拉硅單晶硅錠中的滑移線
含有大量缺陷的準(zhǔn)單晶硅錠的壽命測(cè)量
MDP studio - 操作和評(píng)估軟件 :
用戶友好且*的操作軟件具有:
◇ 導(dǎo)入和導(dǎo)出功能
◇ 帶有操作員的用戶結(jié)構(gòu)
◇ 所有執(zhí)行的測(cè)量概覽
◇ 樣品參數(shù)輸出
◇ 單點(diǎn)測(cè)量(例如:注入濃度相關(guān)的測(cè)量)
◇ 面掃描
◇ 測(cè)試配方
◇ 分析功能包
◇ 線掃描和單點(diǎn)瞬態(tài)視圖
配置選項(xiàng):
◇ 光斑尺寸變化
◇ 電阻率測(cè)量(晶磚和晶圓片)
◇ 背景/偏置光
◇ 反射測(cè)量(MDP)
◇ LBIC
◇ P型摻雜硅中的鐵圖譜
◇ p/n檢測(cè)
◇ 條碼讀取器
◇ 自動(dòng)幾何識(shí)別
◇ 寬的激光器波長(zhǎng)范圍
少子壽命測(cè)試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+) 應(yīng)用 :
鐵濃度測(cè)定
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多晶硅晶圓線掃描HJT晶圓的壽命測(cè)量
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