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產(chǎn)品中心表面分析離子源系統(tǒng)C60 20SC60-20S 離子源系統(tǒng)
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簡(jiǎn)介：
C60-20S 離子源系統(tǒng)是一種高性能離子束，設(shè)計(jì)用于濺射表面，具有較小的損傷和減少的沿周濺射效應(yīng)。
C60-20S 離子源系統(tǒng)在高達(dá)20 kV的電壓下工作，可有效地濺射材料，且損傷較小，無(wú)需重新沉積碳。
C60是XPS、AES和SIMS的理想升級(jí)組件，可在多種材料上均勻?yàn)R射。
主要參數(shù)：
| 主要應(yīng)用 | 濺射 |
| 光斑尺寸 | 100 µm |
| 掃描范圍 | 4 x 4 mm |
| 能耗范圍 | 5 – 20 kV |
| 電流范圍 | 50 nA |
| 法蘭至機(jī)頭長(zhǎng)度 | 142 mm |
| 推薦工作距離 | 50 mm |
| 電源裝置 | 3U x 19’’ rack mountable unit |
| 電源要求 | 110-240VAC 13A 50/60Hz |
| 軟件要求 | PC running Windows 10 or later |
| 集成法蘭規(guī)格 | NW 63 CF |
特點(diǎn):
◇ 電流密度高，蝕刻速度更快；
◇ 與單原子束相比，可減少化學(xué)損傷；
◇ 不同材料和晶體取向的濺射率一致；
◇ 閘閥，便于快速維修；
◇ 源壽命長(zhǎng)；
應(yīng)用領(lǐng)域：
◇ 聚合物的高速、低化學(xué)損傷蝕刻；
◇ C60離子濺射的速度比單原子束(包括氬和氙)快50倍，同時(shí) 對(duì)底層材料造成的損害要小得多；
◇ 下圖比較了15kev的C60濺射產(chǎn)率與15kev金、氙鎵和氬的TRIM數(shù)據(jù)。在相反的例子中，用C60和單原子氬離子束濺 射清洗PTFE薄膜；
◇ 雖然兩種離子束都去除了表面污染，但只有C60離子束的表 面化學(xué)性質(zhì)沒(méi)有發(fā)生變化；
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